diff --git a/GDS/gds_braindump_ss17.tex b/GDS/gds_braindump_ss17.tex
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--- a/GDS/gds_braindump_ss17.tex
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@@ -69,6 +69,9 @@ Das Potentiometer hat die Teilwiderstände $R_{PI} = \alpha R_P$ und $R_{PII} =
 \subsubsection{Geben sie die Formel für die Ausgangsspannung $U_a(\alpha)$ bezüglich der Potistellung an}
 \vspace{4cm}
 
+\subsubsection{Geben sie $U_{amin}$ und $U_{amax}$ an.}
+\vspace{4cm}
+
 \subsubsection{Dimensionieren sie die Widerstände, sodass die Ausgangsspannung bei max. und min. Potentiometerstellung in dem angegebenen Intervall liegt}
 \vspace{4cm}
 
@@ -117,19 +120,20 @@ In der folgenden Schaltung sind für $t < 0$ Kontakte 1 und 2 sehr lange verbund
 \subsubsection{Bei $t=1$ wird auf die Schalterposition $(1, 2)$ geschaltet. Geben sie $u(t)$ an}
 \vspace{3cm}
 
-\subsubsection{Skizzieren sie den Verlauf des Schaltvorgangs, wobei bei t=1 der erste Vorgang abgeschlossen ist und und der Schalter umgelegt wird}
+\subsubsection{Skizzieren sie den Verlauf des Schaltvorgangs, wobei bei t=1 der erste Vorgang abgeschlossen ist und und der Schalter umgelegt wird. Achten Sie auf korrekte Steigung.}
 \vspace{6cm}
 
 
 \newpage
 \section{Transistoren}
-\subsubsection{Nennen sie zwei Arten von Transistoren}
+\subsubsection{Nennen sie zwei Typen von Transistoren}
 \vspace{2cm}
 
-\subsubsection{Zählen sie die Typen von Transistoren auf}
+\subsubsection{Zählen sie die Funktionsarten von Transistoren auf}
+% Loesung: i) Verstaerker, ii) Schalter
 \vspace{2cm}
 
-\subsubsection{Zeichnen sie ein NAND als CMOS Schaltung}
+\subsubsection{Zeichnen sie ein NAND als CMOS Schaltung achten Sie auf die Bulk-Anschlüsse}
 \vspace{6cm}
 
 \subsubsection{Welche eine Grundschaltung ist dargestellt}